FDB8860

מספר מוצר של יצרן:

FDB8860

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDB8860-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

1 יחידות חדשות מק originales במלאי

12847985

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDB8860 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Cut Tape (CT)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

80A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

214 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

12585 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

254W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

FDB886

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDB8860CT

FDB8860DKR

FDB8860TR

2832-FDB8860TR

2156-FDB8860-OS

ONSONSFDB8860

חבילה סטנדרטית

800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDM3622

MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

onsemi

MMBF0201NLT1G

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

onsemi

FDD9409-F085

MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

onsemi

FDD6680

MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK