מספר מוצר של יצרן:
FDB8832
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDB8832-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 34A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12846189
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDB8832 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
34A (Ta), 80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
265 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11400 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FDB883
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FDB8832TR
FDB8832CT
FDB8832DKR
FDB8832TR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SUM90N03-2M2P-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1612
DiGi מספר חלק
SUM90N03-2M2P-E3-DG
מחיר ליחידה
1.59
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB80NF03L-04T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
691
DiGi מספר חלק
STB80NF03L-04T4-DG
מחיר ליחידה
1.90
סוג משאב
Upgrade
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOTF4126
MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F
AOD474A
MOSFET N-CH 75V 2.5A/10A TO252
AO4425L
MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
