FDB6670AS
מספר מוצר של יצרן:

FDB6670AS

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDB6670AS-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 62A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

12846616
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDB6670AS מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
62A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1570 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FDB667

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
PSMN4R3-30BL,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
9945
DiGi מספר חלק
PSMN4R3-30BL,118-DG
מחיר ליחידה
0.58
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN017-30BL,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
1868
DiGi מספר חלק
PSMN017-30BL,118-DG
מחיר ליחידה
0.37
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

AUIRFB3806

MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB

onsemi

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AON6362P

MOSFET N-CH 30V 8DFN