מספר מוצר של יצרן:
FDB082N15A
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDB082N15A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
508 יחידות חדשות מק originales במלאי
12845906
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDB082N15A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
117A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
84 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6040 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
294W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FDB082
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTA140N12T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTA140N12T2-DG
מחיר ליחידה
3.93
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB072N15N3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4910
DiGi מספר חלק
IPB072N15N3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.99
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB108N15N3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3546
DiGi מספר חלק
IPB108N15N3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQD8P10TM_F080
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
AOT11N70
MOSFET N-CH 700V 11A TO220
NTMJS1D2N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK