מספר מוצר של יצרן:
FDA59N25
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDA59N25-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
535 יחידות חדשות מק originales במלאי
12850867
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDA59N25 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
59A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
49mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4020 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
392W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FDA59
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDA59N25-OS
ONSONSFDA59N25
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDP3672
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK