מספר מוצר של יצרן:
FDA28N50
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDA28N50-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
53 יחידות חדשות מק originales במלאי
12839789
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDA28N50 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
155mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5140 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
310W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FDA28
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FQU13N06TU
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
FDB3682
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
