מספר מוצר של יצרן:
FDA16N50-F109
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDA16N50-F109-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
283 יחידות חדשות מק originales במלאי
12845674
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDA16N50-F109 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1945 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
205W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FDA16N50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDA16N50-F109OS
FDA16N50_F109-DG
FDA16N50-F109-DG
FDA16N50_F109
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AON7418A
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
FCH110N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
AOI2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
