מספר מוצר של יצרן:
FCP190N60E
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP190N60E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
695 יחידות חדשות מק originales במלאי
12931646
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP190N60E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® II
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3175 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP190
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FCP190N60EOS
FCP190N60E-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
189
DiGi מספר חלק
STP24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPP24N60C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
129
DiGi מספר חלק
SPP24N60C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.95
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R190C6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4500
DiGi מספר חלק
IPP60R190C6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXKC20N60C
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXKC20N60C-DG
מחיר ליחידה
9.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP24N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
105
DiGi מספר חלק
STP24N60DM2-DG
מחיר ליחידה
1.48
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF723
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SJ634-S-TL-E
PCH 4V DRIVE SERIES
2SK1432
N-CHANNEL POWER MOSFET