מספר מוצר של יצרן:
FCH25N60N
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCH25N60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12838792
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCH25N60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
SupreMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
74 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3352 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
216W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
FCH25N60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPW60R099CPAFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
196
DiGi מספר חלק
IPW60R099CPAFKSA1-DG
מחיר ליחידה
4.16
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG33N65E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG33N65E-GE3-DG
מחיר ליחידה
3.91
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SCT3080ALGC11
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1587
DiGi מספר חלק
SCT3080ALGC11-DG
מחיר ליחידה
6.38
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXKH35N60C5
יצרן
IXYS
כמות זמינה
117
DiGi מספר חלק
IXKH35N60C5-DG
מחיר ליחידה
6.79
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH34N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
89
DiGi מספר חלק
IXFH34N65X2-DG
מחיר ליחידה
4.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMC8010
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
FQL40N50F
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
FQU7P06TU
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
