מספר מוצר של יצרן:
FCD360N65S3R0
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCD360N65S3R0-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
12839097
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCD360N65S3R0 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
730 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FCD360
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FCD360N65S3R0OSTR
2832-FCD360N65S3R0TR
FCD360N65S3R0-DG
2156-FCD360N65S3R0-OS
ONSONSFCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0OSCT
FCD360N65S3R0OSDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK12P60W,RVQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
1950
DiGi מספר חלק
TK12P60W,RVQ-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK380P65Y,RQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
2188
DiGi מספר חלק
TK380P65Y,RQ-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STD16N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
STD16N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQU2N90TU
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
FDD4243-F085
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
FQP32N20C
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
