מספר מוצר של יצרן:
FCA16N60_F109
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCA16N60_F109-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
12849731
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCA16N60_F109 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
SuperFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
260mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2250 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
167W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FCA16
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFQ28N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
273
DiGi מספר חלק
IXFQ28N60P3-DG
מחיר ליחידה
3.26
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOD5N40
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
FDMT1D3N08B
MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
FQD20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
