BSS123-F169
מספר מוצר של יצרן:

BSS123-F169

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

BSS123-F169-DG

תיאור:

MOSFET N-CH SOT23
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

מלאי:

12997585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSS123-F169 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
73 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
BSS123

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-BSS123-F169
488-BSS123-F169TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
BSS123
יצרן
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
כמות זמינה
143884
DiGi מספר חלק
BSS123-DG
מחיר ליחידה
0.01
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

GT52N10D5

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

goford-semiconductor

GT100N12K

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5

goford-semiconductor

GT025N06AM

N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.

goford-semiconductor

GT025N06AM

MOSFET N-CH 60V 170A TO-263