מספר מוצר של יצרן:
BFL4001-1E
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
BFL4001-1E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
מלאי:
12916313
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BFL4001-1E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
850 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 37W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
BFL40
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-BFL4001-1E
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS5C406NT1G
T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
IXFH52N50P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
SIE844DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
