2SJ665-DL-1EX
מספר מוצר של יצרן:

2SJ665-DL-1EX

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

2SJ665-DL-1EX-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2

מלאי:

12834668
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

2SJ665-DL-1EX מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
74 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
65W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TA)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
2SJ665

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
חבילה סטנדרטית
1

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
FQB34P10TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FQB34P10TM-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

2N7000G

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

onsemi

ATP203-TL-H

MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK

onsemi

2SK3746-1E

MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L

infineon-technologies

BSC252N10NSFGATMA1

MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON