מספר מוצר של יצרן:
2SD1145F-AE
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
2SD1145F-AE-DG
תיאור:
BIP NPN 5A 20V
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
מלאי:
16000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12933880
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SD1145F-AE מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
onsemi
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN
זרם - אספן (IC) (מקס')
5 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
20 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
1µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
160 @ 500mA, 2V
הספק - מקס'
900 mW
תדירות - מעבר
120MHz
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
חבילת מכשירים לספקים
3-MP
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
חבילה סטנדרטית
1,401
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
Not applicable
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
