מספר מוצר של יצרן:
2SC3956E
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
2SC3956E-DG
תיאור:
NPN SILICON TRANSISTOR
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 200 mA 300MHz 1.3 W Through Hole TO-126ML
מלאי:
8000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12931598
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SC3956E מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
onsemi
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN
זרם - אספן (IC) (מקס')
200 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
200 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1V @ 3mA, 30mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
100 @ 10mA, 10V
הספק - מקס'
1.3 W
תדירות - מעבר
300MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-225AA, TO-126-3
חבילת מכשירים לספקים
TO-126ML
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONS2SC3956E
2156-2SC3956E
חבילה סטנדרטית
1,158
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
Not applicable
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SA1338-5-TB-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC817K-25WH6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
2SC5476
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN