מספר מוצר של יצרן:
2SB1216S-E
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
2SB1216S-E-DG
תיאור:
TRANS PNP 100V 4A TP
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
מלאי:
12835690
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SB1216S-E מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
PNP
זרם - אספן (IC) (מקס')
4 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
100 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
1µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
140 @ 500mA, 5V
הספק - מקס'
1 W
תדירות - מעבר
130MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
חבילת מכשירים לספקים
TP
מספר מוצר בסיסי
2SB1216
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SA2186-AN
TRANS PNP 50V 2A 3NMP
2SC6096-TD-H
TRANS NPN 100V 2A PCP
2SA1768T-AN
TRANS PNP 160V 0.7A 3NMP
