מספר מוצר של יצרן:
PMT200EN,115
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PMT200EN,115-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 800mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SC-73
מלאי:
12812003
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PMT200EN,115 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
235mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
475 pF @ 80 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-73
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
PMT2
מידע נוסף
שמות אחרים
934066917115
2156-PMT200EN,115-DG
2156-PMT200EN115
2156-PMT200EN115-NXTR-DG
NEXNXPPMT200EN,115
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN10H220LE-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
6941
DiGi מספר חלק
DMN10H220LE-13-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
ZXMN10A08GTA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
20491
DiGi מספר חלק
ZXMN10A08GTA-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STN2NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
7551
DiGi מספר חלק
STN2NF10-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSP372NH6327XTSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
15063
DiGi מספר חלק
BSP372NH6327XTSA1-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN005-55P,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
SI4420DY,518
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
