מספר מוצר של יצרן:
PMN27XPE115
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PMN27XPE115-DG
תיאור:
SMALL SIGNAL FET
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 530mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
12938471
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PMN27XPE115 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1770 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
530mW (Ta), 8.33W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SC-74, SOT-457
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-PMN27XPE115
NEXNXPPMN27XPE115
חבילה סטנדרטית
1,332
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
Not applicable
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOWF190A60C
MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
AOTF190A60CL
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
NVMFS6H801NLWFT1G
MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN