מספר מוצר של יצרן:
PHU11NQ10T,127
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PHU11NQ10T,127-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole IPAK
מלאי:
12872765
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PHU11NQ10T,127 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
57.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
PHU11
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
PHU11NQ10T
PHU11NQ10T-DG
934056349127
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRLU120NPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
9600
DiGi מספר חלק
IRLU120NPBF-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STU6NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
STU6NF10-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD12NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
STFU13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STL9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
