מספר מוצר של יצרן:
PHK4NQ10T,518
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PHK4NQ10T,518-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
מלאי:
12879311
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PHK4NQ10T,518 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
880 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-65°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
PHK4N
מידע נוסף
שמות אחרים
934055907518
PHK4NQ10T /T3
PHK4NQ10T /T3-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
STP16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
STW9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3