מספר מוצר של יצרן:
PDTA115EMB,315
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PDTA115EMB,315-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
מלאי:
199970 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947549
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
nwJd
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PDTA115EMB,315 מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
PNP - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
20 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
100 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
100 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 5mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
1µA
תדירות - מעבר
180 MHz
הספק - מקס'
250 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-101, SOT-883
חבילת מכשירים לספקים
DFN1006B-3
מספר מוצר בסיסי
PDTA115
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-PDTA115EMB,315
NEXNXPPDTA115EMB,315
חבילה סטנדרטית
11,225
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PDTC143XMB315
TRANS PREBIAS
PDTC115TMB315
TRANS PREBIAS
PDTA144EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
