מספר מוצר של יצרן:
PBSS5230QAZ
Product Overview
יצרן:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics מספר חלק:
PBSS5230QAZ-DG
תיאור:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
מלאי:
554308 יחידות חדשות מק originales במלאי
12996639
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PBSS5230QAZ מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
PNP
זרם - אספן (IC) (מקס')
2 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
30 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
60 @ 2A, 2V
הספק - מקס'
325 mW
תדירות - מעבר
170MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
3-XDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
DFN1010D-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-PBSS5230QAZ-954
חבילה סטנדרטית
4,691
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
