מספר מוצר של יצרן:
BUK95150-55A,127
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
BUK95150-55A,127-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 13A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12810050
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BUK95150-55A,127 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
137mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
339 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
53W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
BUK95
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NEXNXPBUK95150-55A,127
BUK95150-55A-DG
2156-BUK95150-55A127
568-9775-5
BUK95150-55A,127-DG
954-BUK95150-55A127
BUK95150-55A
BUK9515055A127
934056260127
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF640,127
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
BUK9213-30A,118
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
BUK9E6R1-100E,127
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
