מספר מוצר של יצרן:
BUK7628-100A,118
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
BUK7628-100A,118-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
5440 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946040
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BUK7628-100A,118 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
Bulk
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
47A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
28mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
166W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-BUK7628-100A,118
NEXNXPBUK7628-100A,118
חבילה סטנדרטית
480
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCP13N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
AUIRFS8405
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
FCP11N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
