מספר מוצר של יצרן:
NTE2018
Product Overview
יצרן:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics מספר חלק:
NTE2018-DG
תיאור:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
מלאי:
22 יחידות חדשות מק originales במלאי
12950372
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTE2018 מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), מערכות טרנזיסטורים בי-פולריים
יצרן
אריזות
Bag
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
8 NPN Darlington
זרם - אספן (IC) (מקס')
600mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
-
הספק - מקס'
1W
תדירות - מעבר
-
טמפרטורת פעולה
-20°C ~ 85°C (TA)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
18-DIP (0.300", 7.62mm)
חבילת מכשירים לספקים
18-PDIP
מספר מוצר בסיסי
NTE20
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2368-NTE2018
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
