NTE2397
מספר מוצר של יצרן:

NTE2397

Product Overview

יצרן:

NTE Electronics, Inc

DiGi Electronics מספר חלק:

NTE2397-DG

תיאור:

MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220

מלאי:

474 יחידות חדשות מק originales במלאי
12926154
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

NTE2397 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NTE Electronics, Inc.
אריזות
Bag
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
400 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2368-NTE2397
חבילה סטנדרטית
1

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microsemi

JANTX2N6802U

MOSFET N-CH 500V 2.5A 18ULCC

onsemi

FQD2N80TM_WS

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON2701

MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN

onsemi

NTD18N06L-1G

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK