מספר מוצר של יצרן:
NTE2378
Product Overview
יצרן:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics מספר חלק:
NTE2378-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 5A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
104 יחידות חדשות מק originales במלאי
12925623
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTE2378 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NTE Electronics, Inc.
אריזות
Bag
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
120W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2368-NTE2378
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTE2935
MOSFET N-CH 500V 6.2A TO3PML
FQB10N60CTM
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
NTE2396A
MOSFET N-CHANNEL 100V 33A TO220
