מספר מוצר של יצרן:
PSMN7R8-120PSQ
Product Overview
יצרן:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PSMN7R8-120PSQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
12828253
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PSMN7R8-120PSQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
167 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9473 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
349W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
PSMN7R8
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
1727-1816
568-11431-5
934067448127
PSMN7R8-120PSQ-DG
568-11431-5-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP076N12N3GXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
261
DiGi מספר חלק
IPP076N12N3GXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.43
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PMPB40SNA,115
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
BUK764R0-40E,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
BSP126,115
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
