מספר מוצר של יצרן:
PSMN4R8-100PSEQ
Product Overview
יצרן:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PSMN4R8-100PSEQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
5000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12828391
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PSMN4R8-100PSEQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
278 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14400 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
405W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
PSMN4R8
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
568-12856-DG
PSMN4R8-100PSEQ-DG
1727-2471
5202-PSMN4R8-100PSEQTR
568-12856
934068633127
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN011-100YSFX
MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
PSMN034-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
BUK9216-100EJ
MOSFET N-CH 100V DPAK