מספר מוצר של יצרן:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
יצרן:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PSMN2R6-60PSQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
53 יחידות חדשות מק originales במלאי
12829132
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PSMN2R6-60PSQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
150A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7629 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
326W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
PSMN2R6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2166-PSMN2R6-60PSQ-1727
934067504127
568-10165-5
PSMN2R660PSQ
5202-PSMN2R6-60PSQTR
1727-1057
568-10165-5-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDP020N06B-F102
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1705
DiGi מספר חלק
FDP020N06B-F102-DG
מחיר ליחידה
2.63
סוג משאב
Similar
מספר חלק
AOT260L
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
3440
DiGi מספר חלק
AOT260L-DG
מחיר ליחידה
1.31
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK100E06N1,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
11
DiGi מספר חלק
TK100E06N1,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PHP79NQ08LT,127
MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB
PMF250XNEAX
MOSFET N-CHANNEL 30V 900MA SC70
PSMN057-200B,118
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
