PSMN027-100XS,127
מספר מוצר של יצרן:

PSMN027-100XS,127

Product Overview

יצרן:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics מספר חלק:

PSMN027-100XS,127-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 23.4A (Tc) 41.1W (Tc) Through Hole TO-220F

מלאי:

12893921
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

PSMN027-100XS,127 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26.8mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1624 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41.1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
934066046127
PSMN027-100XS,127-DG
PSMN027100XS127
568-9501-5
PSMN027-100XS127
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
taiwan-semiconductor

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

taiwan-semiconductor

TSM60NB099CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220

vishay-siliconix

IRF2807ZSTRL

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

taiwan-semiconductor

TSM3401CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23