מספר מוצר של יצרן:
PSMN015-110P,127
Product Overview
יצרן:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PSMN015-110P,127-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 110 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12828295
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PSMN015-110P,127 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
-
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
110 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
75A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
90 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
PSMN015
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
568-5772
2156-PSMN015-110P,127-NEX
934057141127
NEXNXPPSMN015-110P,127
568-5772-DG
1727-4655
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-DG
PSMN015-110P-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFB4510PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1965
DiGi מספר חלק
IRFB4510PBF-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDP150N10
יצרן
onsemi
כמות זמינה
235
DiGi מספר חלק
FDP150N10-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP80N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
10193
DiGi מספר חלק
IXTP80N10T-DG
מחיר ליחידה
1.42
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDP120N10
יצרן
onsemi
כמות זמינה
458
DiGi מספר חלק
FDP120N10-DG
מחיר ליחידה
1.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF4104STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
BUK7609-75A,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
PH7030AL,115
MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56
