בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
PMN55ENEH
Product Overview
יצרן:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PMN55ENEH-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 4.5A (Ta) 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12907077
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PMN55ENEH מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
646 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
560mW (Ta), 6.25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SC-74, SOT-457
מספר מוצר בסיסי
PMN55
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
PMN55ENE
גיליונות נתונים
PMN55ENEH
גיליון נתונים של HTML
PMN55ENEH-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
PMN55ENE
1727-PMN55ENEHDKR
1727-PMN55ENEHCT
1727-8452-6-DG
1727-PMN55ENEHTR
1727-8452-1
1727-8452-2-DG
1727-8452-2
1727-8452-6
5202-PMN55ENEHTR
1727-8452-1-DG
934660265125
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PMN55ENEX
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
PMN55ENEX-DG
מחיר ליחידה
0.10
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF614STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
ZVN0540A
MOSFET N-CH 400V 90MA TO92-3
IXFK88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA
IRC730PBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5