PMN120ENEAX
מספר מוצר של יצרן:

PMN120ENEAX

Product Overview

יצרן:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics מספר חלק:

PMN120ENEAX-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 670mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

מלאי:

10410 יחידות חדשות מק originales במלאי
12831341
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

PMN120ENEAX מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
123mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
196 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
670mW (Ta), 7.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SC-74, SOT-457
מספר מוצר בסיסי
PMN120

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
1727-8660-6
1727-8660-2
1727-8660-1
5202-PMN120ENEAXTR
934069658115
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
nexperia

PSMN4R3-30PL,127

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

nexperia

PSMN6R5-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

infineon-technologies

AUIRLL024N

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223

nexperia

BUK9M9R1-40EX

MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33