מספר מוצר של יצרן:
JANTXV2N7335
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
JANTXV2N7335-DG
תיאור:
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
מלאי:
12929072
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
JANTXV2N7335 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
4 P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
750mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Military
ההסמכה
MIL-PRF-19500/599
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
14-DIP (0.300", 7.62mm)
חבילת מכשירים לספקים
MO-036AB
מספר מוצר בסיסי
2N733
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
JANTXV2N7335-DG
JANTXV2N7335-MIL
150-JANTXV2N7335
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMD3P03R2G
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
SP8K3TB1
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
SP8K32TB1
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
