APT9F100S
מספר מוצר של יצרן:

APT9F100S

Product Overview

יצרן:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

APT9F100S-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK

מלאי:

13258669
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT9F100S מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2606 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
337W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D3Pak
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
APT9F100S-ND
150-APT9F100S
חבילה סטנדרטית
1

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microsemi

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

microchip-technology

APT84M50L

MOSFET N-CH 500V 84A TO264

microchip-technology

APT56F50B2

MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX

microchip-technology

MSC040SMA120S

SICFET N-CH 1200V 64A TO268