מספר מוצר של יצרן:
APT30N60KC6
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
APT30N60KC6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
מלאי:
13257475
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT30N60KC6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 960µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
88 nC @ 10 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2267 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
219W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 [K]
חבילה / מארז
TO-220-3
מידע נוסף
שמות אחרים
APT30N60KC6-ND
150-APT30N60KC6
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APTM100UM65SCAVG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APT5510JFLL
MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP
APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1