מספר מוצר של יצרן:
APT11F80S
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
APT11F80S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK
מלאי:
13260595
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT11F80S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2471 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
337W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D3Pak
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
APT11F80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
APT11F80S-ND
150-APT11F80S
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT5010LLLG
MOSFET N-CH 500V 46A TO264
APT4012BVRG
MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
APT80SM120J
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
