מספר מוצר של יצרן:
2N6800
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2N6800-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
תיאור מפורט:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
מלאי:
13260818
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N6800 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
400 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.75 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800mW (Ta), 25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-39
חבילה / מארז
TO-205AF Metal Can
מידע נוסף
שמות אחרים
2N6800-ND
150-2N6800
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APL502LG
MOSFET N-CH 500V 58A TO264
APT6029BFLLG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
APT50MC120JCU2
MOSFET N-CH 1200V 71A SOT227