מספר מוצר של יצרן:
2N6764
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2N6764-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
מלאי:
13255936
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N6764 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
125 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
4W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3
חבילה / מארז
TO-204AE
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2N6764-ND
150-2N6764
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT10078SLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
NVHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
