מספר מוצר של יצרן:
2N5011
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2N5011-DG
תיאור:
NPN SILICON TRANSISTOR
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
מלאי:
13251752
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N5011 מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
Microsemi
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN
זרם - אספן (IC) (מקס')
200 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
600 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
10nA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
30 @ 25mA, 10V
הספק - מקס'
1 W
תדירות - מעבר
-
טמפרטורת פעולה
-65°C ~ 200°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
חבילת מכשירים לספקים
TO-5AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
150-2N5011
2N5011-ND
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2N6678T1
NPN TRANSISTOR
2N6546
TRANS NPN 300V 15A TO204AD
2N6318
TRANS PNP 80V 0.002A TO66
