VN0106N3-G
מספר מוצר של יצרן:

VN0106N3-G

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

VN0106N3-G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

מלאי:

1836 יחידות חדשות מק originales במלאי
12864799
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

VN0106N3-G מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Bag
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
350mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
65 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
VN0106

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
panasonic

FJ4B01100L1

MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004

vishay-siliconix

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

panasonic

FK3906010L

MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

infineon-technologies

IRL2203NPBF

MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB