מספר מוצר של יצרן:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
TP5335MF-G-VAO-DG
תיאור:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
תיאור מפורט:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
מלאי:
13004384
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TP5335MF-G-VAO מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
350 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
85mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
110 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q100
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-DFN (2x2)
חבילה / מארז
6-VDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
TP5335
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
150-TP5335MF-G-VAOTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
