TP2520N8-G
מספר מוצר של יצרן:

TP2520N8-G

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

TP2520N8-G-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
תיאור מפורט:
P-Channel 200 V 260mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)

מלאי:

1892 יחידות חדשות מק originales במלאי
12810766
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

TP2520N8-G מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
260mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
125 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-243AA (SOT-89)
חבילה / מארז
TO-243AA
מספר מוצר בסיסי
TP2520

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
TP2520N8-GTR
TP2520N8-GDKR
TP2520N8-G-DG
TP2520N8-GCT
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

VQ1004P

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

infineon-technologies

IRFR2607Z

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

infineon-technologies

IRF3710L

MOSFET N-CH 100V 57A TO262

infineon-technologies

IRFU120ZPBF

MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK