TP2510N8-G

מספר מוצר של יצרן:

TP2510N8-G

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

TP2510N8-G-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA

תיאור מפורט:

P-Channel 100 V 480mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)

מלאי:

17792 יחידות חדשות מק originales במלאי

12822437

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TP2510N8-G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Microchip Technology

אריזות

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

480mA (Tj)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.4V @ 1mA

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

125 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-243AA (SOT-89)

חבילה / מארז

TO-243AA

מספר מוצר בסיסי

TP2510

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TP2510N8-G-DG

TP2510N8-GDKR

TP2510N8-GCT

TP2510N8-GTR

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRF1104PBF

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

nxp-semiconductors

PH9930L,115

MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56

infineon-technologies

IRFS4227TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

littelfuse

MMIX1F420N10T

MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD