מספר מוצר של יצרן:
TN0110N3-G
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
TN0110N3-G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
מלאי:
12810007
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TN0110N3-G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Bag
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
350mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 500µA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
60 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
TN0110
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF1324STRL-7PP
MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK
TP2635N3-G
MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
IRFR220,118
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
