TN0106N3-G-P013
מספר מוצר של יצרן:

TN0106N3-G-P013

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

TN0106N3-G-P013-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
12810245
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
HrsF
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

TN0106N3-G-P013 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tape & Box (TB)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
350mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 500µA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
60 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
TN0106

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
TN0106

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microchip-technology

VP0550N3-G

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

infineon-technologies

IRF6643TR1PBF

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

infineon-technologies

IRLR7821TRRPBF

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

infineon-technologies

IRFS3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK