מספר מוצר של יצרן:
MSCSM120TLM11CAG
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
MSCSM120TLM11CAG-DG
תיאור:
SIC 4N-CH 1200V 251A SP6C
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 251A (Tc) 1042W (Tc) Chassis Mount SP6C
מלאי:
12997549
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MSCSM120TLM11CAG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
4 N-Channel (Three Level Inverter)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
251A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
696nC @ 20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9000pF @ 1000V
הספק - מקס'
1042W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
SP6C
מספר מוצר בסיסי
MSCSM120
מידע נוסף
שמות אחרים
150-MSCSM120TLM11CAG
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SP8M24HZGTB
MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
MSCSM170DUM058AG
SIC 2N-CH 1700V 353A
DMC2400UV
MOSFET N/P-CH 20V 1.03A SOT563
