מספר מוצר של יצרן:
MSCSM120AM03T6LIAG
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
MSCSM120AM03T6LIAG-DG
תיאור:
SIC 2N-CH 1200V 805A
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 805A (Tc) 3.215kW (Tc) Chassis Mount
מלאי:
12988311
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MSCSM120AM03T6LIAG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
2 N Channel (Phase Leg)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
805A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.1mOhm @ 400A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 30mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2320nC @ 20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
30200pF @ 1000V
הספק - מקס'
3.215kW (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
-
מספר מוצר בסיסי
MSCSM120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
150-MSCSM120AM03T6LIAG
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FF4MR12KM1H
MOSFET
SSM5P15FU,LF
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV
MSCSM120DUM31TBL1NG
SIC 2N-CH 1200V 79A
